Конденсаторы С7, С7, включенные между базами транзисторов

В преобразователе применены кремниевые транзисторы типа КТ837Д. В связи с этим схема преобразователя существенно изменилась. Это связано с тем, что кремниевые транзисторы более высокочастотны и схема с ними становится склонной к самовозбуждению. Вместе с тем эти транзисторы более «тупые». Чтобы их отпереть, нужно большее напряжение. Рассмотрим особенности этой схемы. Конденсаторы С7, С7, включенные между базами транзисторов преобразователя и минусом источника питания, предотвращают возникновение высокочастотной генерации. Начальное отпирающее смещение на базы транзисторов V6, V8 подается с достаточно высокоомных делителей напряжения R3 — R2, R1 и R9 — R10, R11 с суммарным сопротивлением около 1000 Ом и коэффициентом деления 1/10. Однако благодаря диодам VI и V10 базовый ток транзисторов от обмоток wl, w3 протекает через низкоомные (10 Ом) резисторы R1 и R11.

Таким образом удается удовлетворить двум противоречивым требованиям — иметь высокоомный делитель для начального смещения и низкоомные резисторы в базовых цепях.